+7(499)720-69-46
+7(499)720-69-81

31.03.2011 – Семинар на тему: “Технологии и оборудование в производстве МЭМС, светодиодов, 3D структур на чипе”

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный институт электронной техники (технический университет)» 31 марта 2011г. проводит семинар на тему:
«Технологии и оборудование в производстве МЭМС, светодиодов, 3D структур систем на чипе»

В программу семинара включены следующие вопросы:
1. машинный ряд установок механической резки различных материалов (серии 3000, DAD322, DAD3350, DFD6240, DFD6340HC/FC, DFD6450 ….).
2. машинный ряд установок шлифовки и полировки различных материалов (DAG810, DFD8540, DGP8761).(DHE)
3. машинный ряд установок лазерной резки DAL7020, DFL7160, DFL7340….). Примеры и рекомендации по применению. (DHE)
4. законченные технологические решения:
• DBG (DicingBeforeGrinding) – надежное универсальное решение для утонения и разделения пластин различных материалов (DHE)
• TAIKO – эффективное решение для утонения пластин (до 30-50 мкм) позволяющее избежать трудностей транспортировки и проводить различные обработки утоненных пластин, в том числе термические (DHE)
5. Оптимизация технологических процессов утонения и лазерной резки, в частности сапфира, при производстве HB LED (DHE)
6. Технологии, процессы, применяемые в производстве МЭМС устройств:
• Процессы плазменного травления. Глубокое травление кремния с высоким аспектным отношением, создание полостей, субмикронные канавки
• Процессы осаждения из паровой фазы, стимулированные плазмой (PECVD), получение пленок с заданными свойствами
• Процессы физического осаждения из паровой фазы (PVD), кремниевые емкостные акселерометры, контролируемые свойства алюминиевых пленок для гироскопов, АlN для пьезоэлектриков
• Термические процессы – диффузия, TEOS диэлектрики, поликремний, Si3N4
7. Технологические процессы для формирования сквозных отверстий (TSV) и 3D ИС
• создание отверствий, нанесение диэлектриков, металлизация, интегрированные решения
8. Технологические процессы для получения сверхярких светодиодов (HB LED)
• травление GaP, GaN, AlGaAs, InAIP,Al2O3, применение вертикальных печей для фиксации примеси, воспроизводимость процессов, однородность параметров
Семинар пройдет при участии российских и зарубежных специалистов ведущих фирм производителей оборудования.

Участие в семинаре б е с п л а т н о е.

Время проведения: 10-00 по московскому времени.

Адрес места проведения семинара:
124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806 д.5, стр.23.
Для подготовки приглашений на участие в указанном семинаре просим Вас сообщить занимаемую должность и Ф. И. О. представителя (представителей) от Вашей организации.

Справки по телефонам:
8-499-720-69-46 Сидоренко Виталий Николаевич
8-499-720-69-81, 8-499-720-69-82 Веревкин Анатолий Тимофеевич